Институт инновационного развития

 

Tuesday
Sep 07th
Text size
  • Increase font size
  • Default font size
  • Decrease font size

Юбилей Жореса Алфёрова

E-mail Print PDF

Известному российскому учёному Жоресу Ивановичу Алфёрову исполняется 80 лет.

В личности Жореса Алфёрова сочетаются талант учёного, устремившего взгляд в изучение тайн природы, и принципиальная решительность в отстаивании интересов Отечества на политическом поприще. Нобелевский лауреат, академик, депутат и, главное, великий гражданин - так можно вкратце охарактеризовать Жореса Алфёрова. Коллектив Института инновационного развития сердечно поздравляет Жореса Ивановича Алфёрова с юбилеем и желает ему  новых творческих успехов, крепкого здоровья и прежней боевитости.


Жорес Иванович Алфёров родился 15 марта 1930 года в Витебске.

С 1953 года работал в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе, где был младшим научным сотрудником в лаборатории В. М. Тучкевича и принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов. В 1970 году Алфёров защитил диссертацию, обобщив новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках, и получил степень доктора физико-математических наук. В 1972 году Алфёров стал профессором, а через год — заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ. С начала 1990-х годов Алфёров занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек. С 1987 по май 2003 года — директор ФТИ им. А. Ф. Иоффе, с мая 2003 по июль 2006 года — научный руководитель. Кандидат физ.-мат. наук (1961), доктор физико-математических наук (1970). Профессор ЛЭТИ (1972).

В 1990—1991 годах — вице-президент АН СССР, председатель Президиума Ленинградского научного центра. С 2003 года — председатель Научно-образовательного комплекса «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН. Академик АН СССР (1979), затем РАН, почётный академик Российской академии образования. Вице-президент РАН, председатель президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН. Главный редактор «Писем в Журнал технической физики».

В 2000 году стал лауреатом Нобелевской премии по физике 2000 года за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов.

Депутат Государственной Думы.

В 2008 году принял участие в подготовке издания второй книги из серии «Автограф века». Был главным редактором журнала «Физика и техника полупроводников», членом редакционной коллегии журнала «Поверхность: Физика, химия, механика», членом редакционной коллегии журнала «Наука и жизнь».

Автор более пятисот научных работ, трёх монографий и пятидесяти изобретений.

 

 

 

войти

  • Login
  • Create an account
    Registration
    *
    *
    *
    *
    *
    Fields marked with an asterisk (*) are required.
  • на сайте

    We have 2 guests online